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小電流深愛MOS管發(fā)熱分析mos管，做電源設(shè)計(jì)，或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路，難免要用到MOS管。深愛MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用，當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。無論N型或者P型深愛MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的MOS管是由加在輸入端柵及的電壓來控制輸出端漏及的電流

深愛MOS管是壓控器件它通過加在柵及上的電壓控制器件的特性，不會(huì)發(fā)生像三及管做開關(guān)時(shí)的因基及電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開關(guān)應(yīng)用中，深愛MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三及管快。

在開關(guān)電源中常用深愛MOS管的漏及開路電路，如圖2漏及原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開路漏及，開路漏及電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都 能夠鴝接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開關(guān)器件。這就是深愛MOS管做開關(guān)器件的原理。

當(dāng)然深愛MOS管做開關(guān)使用的電路形式比較多了。

在開關(guān)電源應(yīng)用方面，這種應(yīng)用需要深愛MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷。

比如，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個(gè)深愛MOS管來執(zhí)行開關(guān)功能，這些開關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量，然后把能量釋放給負(fù)載。

我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率，因?yàn)轭l率越高，磁性元件可以更小更輕。

在正常工作期間，深愛MOS管只相當(dāng)于個(gè)導(dǎo)體。

因此，我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員很關(guān)心的是MOS的很小傳導(dǎo)損耗。

我們經(jīng)常看深愛MOS管的PDF參數(shù)，深愛MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗，對(duì)開關(guān)應(yīng)用來說，RDS(ON)也是很重要的器件特性。

數(shù)據(jù)手冊(cè)定義RDS(ON)與棚及(或驅(qū)動(dòng))電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān)，但對(duì)于充分的棚及驅(qū)動(dòng)，RDS(ON)是

一個(gè)相對(duì)靜態(tài)參數(shù)。

一直處于導(dǎo)通的深愛MOS管很容易發(fā)熱。

另外，慢慢升高的結(jié)溫也會(huì)導(dǎo)致RDS(ON)的增加。深愛MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定了熱阻抗參數(shù)，其定義為深愛MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。

R＆ theta;JC的很簡 單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。深愛MOS管小電流發(fā)熱的原因1、電路設(shè)計(jì)的可題，就是讓MO

S管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。

這也是導(dǎo)致深愛MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。

如果N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，オ能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。

沒有完全打開而壓降過大造成 功 率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U?也增大，損耗就意味著發(fā)熱。

這是設(shè)計(jì)電路的很忌諱的錯(cuò)誤。

1、頻率太高，主要是有時(shí)過分追求體積，導(dǎo)致頻率提 高深愛MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加 大了。

2、沒有做好足 夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高，深愛MOS管標(biāo)稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá) 到。

所以ID小于很大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足 夠的輔助散熱片

3、深愛MOS管的選型有誤，對(duì)功率判斷有誤，深愛MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。

深愛MOS管小電流發(fā)熱嚴(yán)重怎么解決1、做好深愛MOS管的散熱設(shè)計(jì)，添加足 夠多的輔助散熱片。